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偏置电路求助

已有 49 次阅读2025-9-20 05:54 |系统分类:芯片设计| 求助

有没有大佬复现过ISSCC session9.4的capacitively degenerated DA动态放大器（如图3），我DA 4个管子的参数和bias电路（没电阻的branch) 完全一样。bias电路的dc电流按照论文里的公式设为确定值（IPTAT=4.03uA), 我的想法是栅极电压一样且尺寸一样，那DA的IQ0不就用IPTAT设定好了。。dc simulation显示工作点正确（weak inversion sat)。电路连接和clk是完全按照另一个论文里做的（如图1），但是transient simulation的VCMP和VCMN在bias断开时才回到正确值（Phi_se），bias与主电路连接时完全不对，VCMN比dc simulation结果大100mV...卡住好久求大佬解答